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产品详情
简单介绍：
MBE分子束外延系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。MBE分子束外延系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
详情介绍：
基于于团队成员的多年研发经验，我们发展和制造了 MBE分子束外延系统及各种功能的源炉。每个产品都是由MBE专业人才进行组装和测试的。
MBE分子束外延系统是为了在6英寸衬底上生长高质量的III/V族或者II-VI族异质结构材料而研发的。样品台选用热解石墨加热或者钨、钽加热丝。MBE系统是公认的非常适合于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
MBE分子束外延系统的主要特点是极高的可靠性和普适性。标准的Octoplus 500有11个呈放射状分布的源孔，可以根据需要增选3个源孔。快速抽真空进样室配有水平磁力杆传输系统，可以在不破坏MBE腔室真空的前提下，简便地进行样品传输。
MBE分子束外延系统的主要参数规格：
● ID 550 mm
● 应用于III/V族， II/VI族或其他异质结构材料
● 大晶片6英寸，或7x2英寸晶片
● 进样室和缓冲腔室
● 线性样品传输系统
● 标准法兰孔数目(标准11个，可按要求增加3个)
● 束流源，气体源，样品台
● 抽真空系统(离子吸附泵，分子泵，低温泵等)
● 原位表征能力
● 软件/硬件控制系统
● 额外要求可定制
